Judit
-2 °C
8 °C

30 nanométer alatti chip-litográfia

Heise.de
2006.02.20. 13:29
Az IBM San Joséban működő Almaden kutatólaborjának munkatársai bemutatták, hogy hagyományos eljárással lehetséges 29,9 nanométeres félvezető struktúrák kialakítása. Ezzel megdöntötték az optikai félvezető litogrfiában jelenleg érvényesülő 32 nanométeres határt. Az IBM kutatói 193 nanométeres hullámhosszú ultraibolya (Deep Ultraviolet, DUV) lézersugarat használtak, illetve a JSR Micro új típusú alapanyagait. Az IBM kutatók két lézer rendkívül finom interferációs mintájával lépték át a 30 nanométeres álomhatárt.

A struktúrákat a lézerfény segítségével fókuszálták a rétegezett szilícium-ostyára. A lakkréteket később kémiai úton előhívják, a fénnyel megvilágított felületeket maratják, és további anyagokak kezelik. A folyamatot a végleges termék kialakításáig újabb és újabb rétegekkel, többször ismételni kell.

Az egyre kisebb félvezető struktúrák kialakítására és a felbontás fokozására a chipgyártók egyre rövidebb hullámhosszat, erősebben fókuszáló lencséket illetve köztes vízréteget használnak. A különböző folyadékokkal és nagy fénytörésű fotólakkokkal végzett kísérletekben eddig nem sikerült 32 nanométer alá menni.

Nászút ajándékba!

Esküvőt tervez? Tervezzen velünk, nyerjen wellness nászutat!

Értékeljen, nyerjen!

Van kedvenc légitársasága? Írja meg véleményét itt!