Mark Bohr, az Intel Process Architecture igazgatója abból indul ki, hogy a szilícium "nyújtása" révén 10-20 százalékkal sikerül javítani az elektromos áram vezetését. A gyártási költségek ezzel szemben csak két százalékkal növekednek. A nyújtás hatékonyságát nagyméretű tranzisztorok esetében sikerült igazolni, de mostanáig kétséges volt, hogy miniatűr elektronikai elemek esetében is működik.
Öt atom oxid
Az Intel tervei szerint a chipet ezen kívül új szigetelési eljárással készítenék. A szokásos hat helyett hét réteget alkalmaznak, közöttük a szigetelő oxidréteg pedig mindössze öt atom vastagságú lesz. Műszakilag ezeket a chipek már nanotechnológiai elemeknek minősülnek, mert a komponenseik 100 nanométernél kisebb méretűek lesznek, mondta Bohr.
A következő generációs processzorokat kizárólag 300 milliméteres szilicium korongokon gyártják majd. Az oregoni próbaüzem után a tömeges gyártásra előreláthatólag Új-Mexikó államban és Írországban kerül sor.
Egyre sérülékenyebb
A Prescott gyártása során a jelenlegi 130 nanométeres technológia folyamatainak 75 százalékát alkalmazni tudják majd. De a 90 nanométeres eljárás nem lesz gyógyír mindenre. Az így gyártott chipeknél nagyobb eséllyel lehet sérült a finom szigetelőréteg, vagy léphet fel véletlenszerű energiaszivárgás, mondta Bohr.
A 65 nanométeres technológia 2005-ös bevezetése még ennél is nagyobb kihívás lesz. A szigetelő oxidréteg vastagsága például öt atomi réteg alá csökken. A 65 nanométeres generáció lesz az utolsó, melyet a hagyományos litográfiai eljárással tudnak gyártani. 2007-ben a chipgyártóknak át kell állniuk az állami laboratóriumok és magáncégek által közösen kifejlesztett extrém ultraibolya (EUV) litográfiára.