Az Intel bejelentette, hogy kidolgozta 32 nanométer csíkszélességű gyártástechnológiáját, melynek technikai részleteit a jövő héten San Franciscóban megrendezendő International Electron Devices Meeting (IEDM) rendezvényen, a félvezetőipar legnagyobb éves konferenciáján ismerteti.
Újráznak
Egyelőre a vállalat csak annyit közölt, hogy az új eljárás kulcseleme a 45 nanométeren bevezetett magas k állandójú (high k) dielektrikumból készült kapuoxid és fém kapuelektróda újabb generációja, a feszített szilícium technológia továbbfejlesztése és a 193 nanométer hullámhosszú fényt használó immerzív litográfia.
Mivel az eljárás készen van, az új csíkszélesség bevezetése az agresszív gyártástechnológiai ütemtervnek megfelelően 2009 negyedik negyedévében meg is kezdődik, írta meg az IT.café.
Mint azt korábban is megírtuk, az Intel a tikk-takk stratégia szerint minden páros évben egy új processzorarchitektúrával, minden páratlan évben ennek a kisebb csíkszélességgel gyártott változatával áll elő. Jövőre a gyártástechnológia ugrás esedékes: ekkor kell megjelennie az idén bemutatott Nehalem kódnevű architektúra 32 nanométeres zsugorításának, a Westmere-nek.
Az Intel közleménye azt állítja, hogy az ő 32 nanométeres technológiájuk az iparágban a legfejlettebb: hasonló tranzisztorsűrűséget és tranzisztorteljesítményt más nem tud felmutatni.