Közös kutatóprogramot indított az IBM és a TDK, amelynek a keretében új STT-RAM memóriákat fejlesztenek ki. A Cnet cikke szerint ezzel a mágneses memóriával akarják majd lecserélni a mai adattárolókat. A két cégnek komoly riválisai vannak, hasonló fejlesztéseken dolgozik többek között a Toshiba és a Freescale is. Ez utóbbi tavaly júliusban bemutatott egy négy megabites modult, de a kis kapacitású csippel csupán a technológia működését mutatták be.
Az STT-RAM gyorsabban írható és olvasható, mint a hagyományos adattároló memóriák. Amíg ma elterjedt memóriák tranzisztorokban tárolják az adatokat, addig az STT-RAM úgynevezett mágneses alagútátmenetek segítségével állítja át a tárolóbitek polarizációját.
Strapabíró
Fontos tudni, hogy az IBM pár évvel ezelőtt már elkészítette a mágneses memória (MRAM) hagyományos elven működő prototípusát, de rájött, hogy a csipet nem tudja tovább kicsinyíteni, 65 nanométernél kisebb gyártási technológiánál új adatrögzítési módszerre van szükség. (Most a processzorok 65 nanométeres eljárással készülnek, és minél kisebbek az alkotóelemek, annál gyorsabb és hatékonyabb a csip.)
Az STT-RAM (spin torque transfer RAM) modulokban polarizált árammal állítják be az adattároló biteket 1-esre vagy 0-ra. E megoldás miatt szinte korlátlan a memória élettartama. A mai flash memóriákban atomok vagy elektronok mozognak, ezért a tranzisztorok idővel elhasználódnak, az STT-RAM azonban nem kopik el, mert nincs ilyen mozgás a csipben.
Sok mindenre használható az STT-RAM, például átmeneti tárolót lehet belőle készíteni a merevlemezekhez. Most a gyártók DRAM memóriákat használnak erre a feladatra, de ezek a memóriák csak árammal működnek, ha lekapcsolják a gépet, mindent elfelejtenek. Az IBM és a TDK abban reménykedik, hogy elsőként állhatnak elő gigabites modulokkal, amelyek mindenféle elektronikus kütyüben, nyomtatókban vagy mobiltelefonokban is felhasználhatók.