Az IBM megépítette a világ legkisebb SRAM celláját, és némi germániumot felhasználva olyan tranzisztort épített, amely háromszor gyorsabb a maiaknál.
Az SRAM
Az SRAM statikus random elérésű memória. Sokkal gyorsabb és megbízhatóbb, mint az általánosan elterjedt DRAM (dinamikus RAM), amelyet a számítógépek memóriájában is alkalmaznak. Az SRAM gyártása nagyon drága, ezért általában csak gyorsítótárakban használják.
Persze nem csak az IBM foglalkozik ilyen fejlesztésekkel, a Texas Instruments például idén jelentette be, hogy 65 nanométeres gyártási technológiával 0,49 négyzetmikrométeres cellákat tud gyártani, azaz egyetlen négyzetmilliméteren 930 ezer logikai kaput tud elhelyezni.
Háromszoros sebesség
Az IBM még nem hozott nyilvánosságra technikai részleteket, de bemutatott egy másik igen jelentős technikai újítást is, amellyel a félvezetőkben használt standard tranzisztorok teljesítménye a háromszorosára növelhető. A vállalat mérnökei germánium réteget hoztak létre a tranzisztornak azon a részén, ahol az elektromos áram keresztülfolyik. Az iparági szakértők régóta tudják, hogy a germánium jobb félvezető, mint a szilícium, ezért korántsem meglepő, hogy az IBM által létrehozott réteg jelentősen növeli a csipek teljesítményét.
Bár a félvezetőgyártók elsősorban a tranzisztorok méretének csökkentésével érnek el nagyobb teljesítményt, fontos alternatív megoldás az új anyagok bevezetése. Az IBM egyébként azt reméli, hogy a technikával majd a 32 nanométeres és kisebb csipek teljesítményét is jelentősen megnövelhetik.
Kövesse az Indexet Facebookon is!
Követem!
